摘要：設計并制作了非對稱大光腔波導結構,利用分布布拉格反射技術,實現(xiàn)了980 nm波段高功率半導體激光器的穩(wěn)定輸出。在實驗過程中,采用電子束光刻技術,結合感應耦合等離子刻蝕工藝,利用SiO2作為硬掩模,并通過減小Ar離子的束流來減弱刻蝕過程中由于物理轟擊作用對SiO2硬掩模的消耗,制作出形貌良好、周期為890 nm、占空比為50%的分布布拉格反射器光柵;采用脊型波導激光器的制作工藝,成功制作出分布布拉格反射激光器,當器件注入電流15 A時,該激光器的輸出功率高達10.7 W,斜率效率為0.73 W/A,器件閾值電流為0.95 A,中心波長為979.3 nm。該研究為GaAs基DBR半導體激光器的制作與研究提供了新思路。