摘要：本文歸納了碳化硼薄膜的主要特性以及近年來在功能陶瓷、熱電元件等方面的廣泛應(yīng)用。總結(jié)了目前物理氣相沉積(PVD)和化學(xué)氣相沉積(CVD)技術(shù)制備碳化硼薄膜的主要方法,包括磁控濺射法、離子束蒸鍍法、經(jīng)典化學(xué)氣相沉積法(c-CVD)、等離子增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積法(PECVD、激光化學(xué)氣相沉積法(LCVD)和熱絲化學(xué)氣相沉積法(HFCVD)等,討論了各種沉積技術(shù)制備碳化硼薄膜工藝中各種實(shí)驗(yàn)參數(shù)對薄膜生長過程的影響,并對該領(lǐng)域今后的研究方向進(jìn)行了展望。