摘要：通過硅基微結構與二氧化釩(VO2)相變薄膜相結合,設計并實現(xiàn)了一種電控太赫茲幅度調制器件。該調制器具有很高的太赫茲波透射率與極低的器件插損,同時具有大的工作帶寬和調制深度。仿真和實驗測試結果表明,該調制器對太赫茲波的增透響應帶寬為0.25~0.95THz波段。在0.4~0.85THz頻段內(約450GHz寬帶)的透射率超過80%,相較于硅襯底的透射率增加了10%以上,且透射率最高可達85%。對該器件電調控后,調制深度可達76%以上,器件透射率變化幅度可達65%。因低插損、大調制幅度以及寬工作帶寬,該太赫茲調制器在太赫茲成像和通信系統(tǒng)中具有重要的應用價值。