AlN單晶性質(zhì)與AlGaN外延生長(zhǎng)研究
作者：付潤定; 莊德津; 修向前; 謝自力; 陳鵬; 張榮; 鄭有炓 南京大學(xué)電子科學(xué)與工程學(xué)院; 江蘇南京210093; 青島鋁鎵光電半導(dǎo)體有限公司; 山東青島266105
摘要：對(duì)物理氣相傳輸法(PVT)生長(zhǎng)的AlN單晶進(jìn)行了性質(zhì)表征,研究了單晶中的雜質(zhì)和缺陷、發(fā)光性質(zhì)和晶體結(jié)構(gòu)等,結(jié)果表明該AlN單晶具有較高的晶體質(zhì)量。用藍(lán)寶石陪片輔助方法對(duì)AlN單晶進(jìn)行了化學(xué)機(jī)械拋光,得到了厚度均勻、具有器件質(zhì)量表面的AlN單晶片。利用MOCVD在AlN單晶片上外延了Al組分約為18.2%的AlGaN薄膜,其生長(zhǎng)模式符合Stranski-Krastanow模式。利用應(yīng)變梯度模型解釋了AlGaN外延層中應(yīng)變狀態(tài)和表面裂紋的形成機(jī)制。
注：因版權(quán)方要求，不能公開全文，如需全文，請(qǐng)咨詢雜志社
