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Ieee Journal Of The Electron Devices Society SCIE

Ieee Journal Of The Electron Devices Society

  • ISSN:2168-6734
  • ESSN:2168-6734
  • 國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)簡(jiǎn)稱:IEEE J ELECTRON DEVI
  • 出版地區(qū):UNITED STATES
  • 出版周期:1 issue/year
  • 研究方向:Biochemistry, Genetics and Molecular Biology - Biotechnology
  • 出版年份:2013
  • 語(yǔ)言:English
  • 是否OA:開放
  • 學(xué)科領(lǐng)域

    工程技術(shù)
  • 中科院分區(qū)

    3區(qū)
  • JCR分區(qū)

    Q3
  • IF影響因子

    2
  • 是否預(yù)警

期刊簡(jiǎn)介

Journal Title:Ieee Journal Of The Electron Devices Society

The IEEE Journal of the Electron Devices Society (J-EDS) is an open-access, fully electronic scientific journal publishing papers ranging from fundamental to applied research that are scientifically rigorous and relevant to electron devices. The J-EDS publishes original and significant contributions relating to the theory, modelling, design, performance, and reliability of electron and ion integrated circuit devices and interconnects, involving insulators, metals, organic materials, micro-plasmas, semiconductors, quantum-effect structures, vacuum devices, and emerging materials with applications in bioelectronics, biomedical electronics, computation, communications, displays, microelectromechanics, imaging, micro-actuators, nanodevices, optoelectronics, photovoltaics, power IC's, and micro-sensors. Tutorial and review papers on these subjects are, also, published. And, occasionally special issues with a collection of papers on particular areas in more depth and breadth are, also, published. J-EDS publishes all papers that are judged to be technically valid and original.

中文簡(jiǎn)介

《IEEE 電子設(shè)備學(xué)會(huì)雜志》(J-EDS)是一本開放獲取的全電子科學(xué)期刊,出版從基礎(chǔ)研究到應(yīng)用研究的論文,這些論文科學(xué)嚴(yán)謹(jǐn),與電子設(shè)備相關(guān)。J-EDS 發(fā)表與電子和離子集成電路設(shè)備和互連的理論、建模、設(shè)計(jì)、性能和可靠性有關(guān)的原創(chuàng)和重要貢獻(xiàn),涉及絕緣體、金屬、有機(jī)材料、微等離子體、半導(dǎo)體、量子效應(yīng)結(jié)構(gòu)、真空設(shè)備和新興材料,應(yīng)用于生物電子學(xué)、生物醫(yī)學(xué)電子學(xué)、計(jì)算、通信、顯示器、微機(jī)電、成像、微致動(dòng)器、納米設(shè)備、光電子學(xué)、光伏、電源 IC 和微傳感器。還出版了有關(guān)這些主題的教程和評(píng)論論文。有時(shí),還會(huì)出版特別版,其中包含有關(guān)特定領(lǐng)域的更深入和更廣泛的論文集。J-EDS 出版所有被判定為技術(shù)上有效和原創(chuàng)的論文。

期刊點(diǎn)評(píng)

Ieee Journal Of The Electron Devices Society創(chuàng)刊于2013年,由Institute of Electrical and Electronics Engineers Inc.出版商出版,收稿方向涵蓋Biochemistry, Genetics and Molecular Biology - Biotechnology全領(lǐng)域,此刊是中等級(jí)別的SCI期刊,所以過(guò)審相對(duì)來(lái)講不是特別難,但是該刊專業(yè)認(rèn)可度不錯(cuò),仍然是一本值得選擇的SCI期刊 。平均審稿速度 9 Weeks ,影響因子指數(shù)2,該期刊近期沒(méi)有被列入國(guó)際期刊預(yù)警名單,廣大學(xué)者值得一試。

中科院分區(qū)(數(shù)據(jù)版本:2023年12月升級(jí)版)

大類學(xué)科 分區(qū) 小類學(xué)科 分區(qū) Top期刊 綜述期刊
工程技術(shù) 3區(qū) ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:電子與電氣 4區(qū)

名詞解釋:
中科院分區(qū)也叫中科院JCR分區(qū),基礎(chǔ)版分為13個(gè)大類學(xué)科,然后按照各類期刊影響因子分別將每個(gè)類別分為四個(gè)區(qū),影響因子5%為1區(qū),6%-20%為2區(qū),21%-50%為3區(qū),其余為4區(qū)。

中科院分區(qū)(數(shù)據(jù)版本:2022年12月升級(jí)版)

大類學(xué)科 分區(qū) 小類學(xué)科 分區(qū) Top期刊 綜述期刊
工程技術(shù) 3區(qū) ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:電子與電氣 3區(qū)

中科院分區(qū)(數(shù)據(jù)版本:2021年12月舊的升級(jí)版)

大類學(xué)科 分區(qū) 小類學(xué)科 分區(qū) Top期刊 綜述期刊
工程技術(shù) 3區(qū) ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:電子與電氣 3區(qū)

中科院分區(qū)(數(shù)據(jù)版本:2021年12月基礎(chǔ)版)

大類學(xué)科 分區(qū) 小類學(xué)科 分區(qū) Top期刊 綜述期刊
工程技術(shù) 4區(qū) ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:電子與電氣 4區(qū)

中科院分區(qū)(數(shù)據(jù)版本:2021年12月升級(jí)版)

大類學(xué)科 分區(qū) 小類學(xué)科 分區(qū) Top期刊 綜述期刊
工程技術(shù) 3區(qū) ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:電子與電氣 3區(qū)

中科院分區(qū)(數(shù)據(jù)版本:2020年12月舊的升級(jí)版)

大類學(xué)科 分區(qū) 小類學(xué)科 分區(qū) Top期刊 綜述期刊
工程技術(shù) 3區(qū) ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:電子與電氣 3區(qū)

WOS分區(qū)(數(shù)據(jù)版本:2023-2024年最新版)

按JIF指標(biāo)學(xué)科分區(qū) 收錄子集 分區(qū) 排名 百分位
學(xué)科:ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC SCIE Q3 202 / 352

42.8%

按JCI指標(biāo)學(xué)科分區(qū) 收錄子集 分區(qū) 排名 百分位
學(xué)科:ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC SCIE Q3 179 / 354

49.58%

名詞解釋:
WOS即Web of Science,是全球獲取學(xué)術(shù)信息的重要數(shù)據(jù)庫(kù),Web of Science包括自然科學(xué)、社會(huì)科學(xué)、藝術(shù)與人文領(lǐng)域的信息,來(lái)自全世界近9,000種最負(fù)盛名的高影響力研究期刊及12,000多種學(xué)術(shù)會(huì)議多學(xué)科內(nèi)容。給期刊分區(qū)時(shí)會(huì)按照某一個(gè)學(xué)科領(lǐng)域劃分,根據(jù)這一學(xué)科所有按照影響因子數(shù)值降序排名,然后平均分成4等份,期刊影響因子值高的就會(huì)在高分區(qū)中,最后的劃分結(jié)果分別是Q1,Q2,Q3,Q4,Q1代表質(zhì)量最高。

CiteScore分區(qū)(數(shù)據(jù)版本:2024年最新版)

CiteScore SJR SNIP CiteScore排名
5.2 0.505 0.955
學(xué)科 分區(qū) 排名 百分位
大類:Materials Science 小類:Electronic, Optical and Magnetic Materials Q2 90 / 284

68%

大類:Materials Science 小類:Electrical and Electronic Engineering Q2 253 / 797

68%

大類:Materials Science 小類:Biotechnology Q2 139 / 311

55%

名詞解釋:
CiteScore:衡量期刊所發(fā)表文獻(xiàn)的平均受引用次數(shù)。
SJR:SCImago 期刊等級(jí)衡量經(jīng)過(guò)加權(quán)后的期刊受引用次數(shù)。引用次數(shù)的加權(quán)值由施引期刊的學(xué)科領(lǐng)域和聲望 (SJR) 決定。
SNIP:每篇文章中來(lái)源出版物的標(biāo)準(zhǔn)化影響將實(shí)際受引用情況對(duì)照期刊所屬學(xué)科領(lǐng)域中預(yù)期的受引用情況進(jìn)行衡量。

其他數(shù)據(jù)

是否OA開放訪問(wèn): h-index: 年文章數(shù):
開放 23 92
Gold OA文章占比: 2021-2022最新影響因子(數(shù)據(jù)來(lái)源于搜索引擎): 開源占比(OA被引用占比):
97.60% 2 0.97...
研究類文章占比:文章 ÷(文章 + 綜述) 期刊收錄: 中科院《國(guó)際期刊預(yù)警名單(試行)》名單:
98.91% SCIE

歷年IF值(影響因子):

歷年引文指標(biāo)和發(fā)文量:

歷年中科院JCR大類分區(qū)數(shù)據(jù):

歷年自引數(shù)據(jù):

發(fā)文統(tǒng)計(jì)

2023-2024國(guó)家/地區(qū)發(fā)文量統(tǒng)計(jì):

國(guó)家/地區(qū) 數(shù)量
CHINA MAINLAND 168
USA 99
Taiwan 98
South Korea 74
Japan 61
India 40
France 29
GERMANY (FED REP GER) 27
Switzerland 23
Belgium 20

2023-2024機(jī)構(gòu)發(fā)文量統(tǒng)計(jì):

機(jī)構(gòu) 數(shù)量
NATIONAL YANG MING CHIAO TUNG UN... 35
INDIAN INSTITUTE OF TECHNOLOGY S... 22
CHINESE ACADEMY OF SCIENCES 20
ECOLE POLYTECHNIQUE FEDERALE DE ... 18
NATIONAL TSING HUA UNIVERSITY 17
UNIVERSITY OF ELECTRONIC SCIENCE... 17
NATIONAL CHENG KUNG UNIVERSITY 15
SEOUL NATIONAL UNIVERSITY (SNU) 15
SOUTH CHINA UNIVERSITY OF TECHNO... 15
PEKING UNIVERSITY 14

近年引用統(tǒng)計(jì):

期刊名稱 數(shù)量
IEEE T ELECTRON DEV 499
IEEE ELECTR DEVICE L 445
APPL PHYS LETT 311
J APPL PHYS 180
SOLID STATE ELECTRON 105
IEEE J ELECTRON DEVI 75
JPN J APPL PHYS 73
NANO LETT 64
IEEE J SOLID-ST CIRC 58
NATURE 53

近年被引用統(tǒng)計(jì):

期刊名稱 數(shù)量
IEEE T ELECTRON DEV 140
IEEE J ELECTRON DEVI 75
IEEE ELECTR DEVICE L 59
SEMICOND SCI TECH 36
IEEE ACCESS 29
JPN J APPL PHYS 27
SOLID STATE ELECTRON 22
APPL PHYS LETT 20
MICROMACHINES-BASEL 20
J APPL PHYS 18

近年文章引用統(tǒng)計(jì):

文章名稱 數(shù)量
FinFET Versus Gate-All-Around Na... 21
Characterization and Compact Mod... 19
Characterization and Modeling of... 14
Cryogenic Temperature Characteri... 11
Hysteresis Reduction in Negative... 11
Tunneling Transistors Based on M... 11
Direct Correlation of Ferroelect... 10
Ferroelectric HfO2 Tunnel Juncti... 10
Development and Fabrication of A... 10
Experimental Investigations of S... 10

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