SCIE
學(xué)科領(lǐng)域
工程技術(shù)中科院分區(qū)
4區(qū)JCR分區(qū)
Q3IF影響因子
2.2是否預(yù)警
否Journal Title：Journal Of Computational Electronics
he Journal of Computational Electronics brings together research on all aspects of modeling and simulation of modern electronics. This includes optical, electronic, mechanical, and quantum mechanical aspects, as well as research on the underlying mathematical algorithms and computational details. The related areas of energy conversion/storage and of molecular and biological systems, in which the thrust is on the charge transport, electronic, mechanical, and optical properties, are also covered.
In particular, we encourage manuscripts dealing with device simulation; with optical and optoelectronic systems and photonics; with energy storage (e.g. batteries, fuel cells) and harvesting (e.g. photovoltaic), with simulation of circuits, VLSI layout, logic and architecture (based on, for example, CMOS devices, quantum-cellular automata, QBITs, or single-electron transistors); with electromagnetic simulations (such as microwave electronics and components); or with molecular and biological systems. However, in all these cases, the submitted manuscripts should explicitly address the electronic properties of the relevant systems, materials, or devices and/or present novel contributions to the physical models, computational strategies, or numerical algorithms.
《計算電子學(xué)雜志》匯集了現(xiàn)代電子建模和仿真各方面的研究。這包括光學(xué)、電子、機(jī)械和量子力學(xué)方面，以及對底層數(shù)學(xué)算法和計算細(xì)節(jié)的研究。還涵蓋了能量轉(zhuǎn)換/存儲以及分子和生物系統(tǒng)的相關(guān)領(lǐng)域，其中重點(diǎn)是電荷傳輸、電子、機(jī)械和光學(xué)特性。
特別是，我們鼓勵涉及設(shè)備模擬的稿件；涉及光學(xué)和光電系統(tǒng)和光子學(xué)的稿件；涉及能量存儲（例如電池、燃料電池）和收集（例如光伏）的稿件；涉及電路、VLSI 布局、邏輯和架構(gòu)的模擬（例如基于 CMOS 設(shè)備、量子細(xì)胞自動機(jī)、QBIT 或單電子晶體管的稿件）；涉及電磁模擬（如微波電子和組件的稿件）；或涉及分子和生物系統(tǒng)的稿件。然而，在所有這些情況下，提交的稿件都應(yīng)明確說明相關(guān)系統(tǒng)、材料或設(shè)備的電子特性，和/或?qū)ξ锢砟Ｐ汀⒂嬎悴呗曰驍?shù)值算法提出新的貢獻(xiàn)。
Journal Of Computational Electronics創(chuàng)刊于2002年，由Springer US出版商出版，收稿方向涵蓋ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC - PHYSICS, APPLIED全領(lǐng)域，此期刊水平偏中等偏靠后，在所屬細(xì)分領(lǐng)域中專業(yè)影響力一般，過審相對較易，如果您文章質(zhì)量佳，選擇此期刊，發(fā)表機(jī)率較高。平均審稿速度 12周，或約稿 ，影響因子指數(shù)2.2，該期刊近期沒有被列入國際期刊預(yù)警名單，廣大學(xué)者值得一試。
| 大類學(xué)科 | 分區(qū) | 小類學(xué)科 | 分區(qū) | Top期刊 | 綜述期刊 |
| 工程技術(shù) | 4區(qū) | ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程：電子與電氣 PHYSICS, APPLIED 物理：應(yīng)用 | 4區(qū) 4區(qū) | 否 | 否 |
名詞解釋：
中科院分區(qū)也叫中科院JCR分區(qū)，基礎(chǔ)版分為13個大類學(xué)科，然后按照各類期刊影響因子分別將每個類別分為四個區(qū)，影響因子5%為1區(qū)，6%-20%為2區(qū)，21%-50%為3區(qū)，其余為4區(qū)。
| 大類學(xué)科 | 分區(qū) | 小類學(xué)科 | 分區(qū) | Top期刊 | 綜述期刊 |
| 工程技術(shù) | 4區(qū) | ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程：電子與電氣 PHYSICS, APPLIED 物理：應(yīng)用 | 4區(qū) 4區(qū) | 否 | 否 |
| 大類學(xué)科 | 分區(qū) | 小類學(xué)科 | 分區(qū) | Top期刊 | 綜述期刊 |
| 工程技術(shù) | 4區(qū) | ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程：電子與電氣 PHYSICS, APPLIED 物理：應(yīng)用 | 4區(qū) 4區(qū) | 否 | 否 |
| 大類學(xué)科 | 分區(qū) | 小類學(xué)科 | 分區(qū) | Top期刊 | 綜述期刊 |
| 工程技術(shù) | 4區(qū) | ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程：電子與電氣 PHYSICS, APPLIED 物理：應(yīng)用 | 4區(qū) 4區(qū) | 否 | 否 |
| 大類學(xué)科 | 分區(qū) | 小類學(xué)科 | 分區(qū) | Top期刊 | 綜述期刊 |
| 工程技術(shù) | 4區(qū) | ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程：電子與電氣 PHYSICS, APPLIED 物理：應(yīng)用 | 4區(qū) 4區(qū) | 否 | 否 |
| 大類學(xué)科 | 分區(qū) | 小類學(xué)科 | 分區(qū) | Top期刊 | 綜述期刊 |
| 工程技術(shù) | 4區(qū) | ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程：電子與電氣 PHYSICS, APPLIED 物理：應(yīng)用 | 4區(qū) 4區(qū) | 否 | 否 |
| 按JIF指標(biāo)學(xué)科分區(qū) | 收錄子集 | 分區(qū) | 排名 | 百分位 |
| 學(xué)科：ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC | SCIE | Q3 | 183 / 352 |
48.2% |
| 學(xué)科：PHYSICS, APPLIED | SCIE | Q3 | 104 / 179 |
42.2% |
| 按JCI指標(biāo)學(xué)科分區(qū) | 收錄子集 | 分區(qū) | 排名 | 百分位 |
| 學(xué)科：ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC | SCIE | Q3 | 190 / 354 |
46.47% |
| 學(xué)科：PHYSICS, APPLIED | SCIE | Q3 | 100 / 179 |
44.41% |
名詞解釋：
WOS即Web of Science，是全球獲取學(xué)術(shù)信息的重要數(shù)據(jù)庫，Web of Science包括自然科學(xué)、社會科學(xué)、藝術(shù)與人文領(lǐng)域的信息，來自全世界近9,000種最負(fù)盛名的高影響力研究期刊及12,000多種學(xué)術(shù)會議多學(xué)科內(nèi)容。給期刊分區(qū)時會按照某一個學(xué)科領(lǐng)域劃分，根據(jù)這一學(xué)科所有按照影響因子數(shù)值降序排名，然后平均分成4等份，期刊影響因子值高的就會在高分區(qū)中，最后的劃分結(jié)果分別是Q1，Q2，Q3，Q4，Q1代表質(zhì)量最高。
| CiteScore | SJR | SNIP | CiteScore排名 | ||||||||||||||||||||
| 4.5 | 0.294 | 0.824 |
|
名詞解釋：
CiteScore：衡量期刊所發(fā)表文獻(xiàn)的平均受引用次數(shù)。
SJR:SCImago 期刊等級衡量經(jīng)過加權(quán)后的期刊受引用次數(shù)。引用次數(shù)的加權(quán)值由施引期刊的學(xué)科領(lǐng)域和聲望 (SJR) 決定。
SNIP:每篇文章中來源出版物的標(biāo)準(zhǔn)化影響將實(shí)際受引用情況對照期刊所屬學(xué)科領(lǐng)域中預(yù)期的受引用情況進(jìn)行衡量。
| 是否OA開放訪問： | h-index： | 年文章數(shù)： |
| 未開放 | 27 | 117 |
| Gold OA文章占比： | 2021-2022最新影響因子（數(shù)據(jù)來源于搜索引擎）: | 開源占比（OA被引用占比）： |
| 8.61% | 2.2 | 0.06... |
| 研究類文章占比：文章 ÷（文章 + 綜述） | 期刊收錄： | 中科院《國際期刊預(yù)警名單（試行）》名單： |
| 100.00% | SCIE | 否 |
歷年IF值(影響因子)：
歷年引文指標(biāo)和發(fā)文量：
歷年中科院JCR大類分區(qū)數(shù)據(jù)：
歷年自引數(shù)據(jù)：
2023-2024國家/地區(qū)發(fā)文量統(tǒng)計：
| 國家/地區(qū) | 數(shù)量 |
| India | 191 |
| Iran | 91 |
| CHINA MAINLAND | 52 |
| USA | 50 |
| Algeria | 36 |
| Saudi Arabia | 20 |
| Bangladesh | 16 |
| GERMANY (FED REP GER) | 13 |
| Pakistan | 11 |
| Tunisia | 11 |
2023-2024機(jī)構(gòu)發(fā)文量統(tǒng)計：
| 機(jī)構(gòu) | 數(shù)量 |
| NATIONAL INSTITUTE OF TECHNOLOGY... | 43 |
| ISLAMIC AZAD UNIVERSITY | 27 |
| INDIAN INSTITUTE OF TECHNOLOGY S... | 24 |
| SHAHID BEHESHTI UNIVERSITY | 13 |
| ARIZONA STATE UNIVERSITY | 11 |
| VELLORE INSTITUTE OF TECHNOLOGY | 9 |
| JAWAHARLAL NEHRU UNIVERSITY, NEW... | 7 |
| SHANMUGHA ARTS, SCIENCE, TECHNOL... | 7 |
| AMIRKABIR UNIVERSITY OF TECHNOLO... | 6 |
| CHINESE ACADEMY OF SCIENCES | 6 |
近年引用統(tǒng)計：
| 期刊名稱 | 數(shù)量 |
| IEEE T ELECTRON DEV | 284 |
| APPL PHYS LETT | 156 |
| PHYS REV B | 149 |
| J APPL PHYS | 127 |
| IEEE ELECTR DEVICE L | 109 |
| J COMPUT ELECTRON | 109 |
| IEEE T ANTENN PROPAG | 77 |
| SOLID STATE ELECTRON | 77 |
| SUPERLATTICE MICROST | 74 |
| PHYS REV LETT | 65 |
近年被引用統(tǒng)計：
| 期刊名稱 | 數(shù)量 |
| J COMPUT ELECTRON | 109 |
| IEEE T ELECTRON DEV | 45 |
| J ELECTRON MATER | 32 |
| J NANOELECTRON OPTOE | 31 |
| MATER RES EXPRESS | 28 |
| SUPERLATTICE MICROST | 28 |
| INT J THEOR PHYS | 27 |
| PHYS REV B | 25 |
| J APPL PHYS | 23 |
| INT J NUMER MODEL EL | 21 |
近年文章引用統(tǒng)計：
| 文章名稱 | 數(shù)量 |
| Particle swarm optimization and ... | 12 |
| First-principles analysis of the... | 11 |
| Investigation on the structural,... | 10 |
| A miniaturized slotted multiband... | 10 |
| A dual-channel surface plasmon r... | 9 |
| Spin-orbit coupling effects on t... | 8 |
| Effect of temperature on the per... | 8 |
| A first principles study of key ... | 8 |
| Tuning electronic, magnetic, and... | 8 |
| A computationally efficient hybr... | 8 |
| 同小類學(xué)科的其他優(yōu)質(zhì)期刊 | 影響因子 | 中科院分區(qū) |
| International Journal Of Ventilation | 1.1 | 4區(qū) |
| Journal Of Environmental Chemical Engineering | 7.4 | 2區(qū) |
| Journal Of Energy Storage | 8.9 | 2區(qū) |
| Complexity | 1.7 | 4區(qū) |
| Chemical Engineering Journal | 13.3 | 1區(qū) |
| International Journal Of Hydrogen Energy | 8.1 | 2區(qū) |
| Aerospace | 2.1 | 3區(qū) |
| Electronics | 2.6 | 3區(qū) |
| Shock Waves | 1.7 | 4區(qū) |
| Buildings | 3.1 | 3區(qū) |
若用戶需要出版服務(wù)，請聯(lián)系出版商：ONE NEW YORK PLAZA, SUITE 4600 , NEW YORK, United States, NY, 10004。
