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Ieee Transactions On Nanotechnology SCIE

Ieee Transactions On Nanotechnology

  • ISSN:1536-125X
  • ESSN:1941-0085
  • 國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)簡(jiǎn)稱:IEEE T NANOTECHNOL
  • 出版地區(qū):UNITED STATES
  • 出版周期:Quarterly
  • 研究方向:工程技術(shù) - 材料科學(xué):綜合
  • 出版年份:2002
  • 語(yǔ)言:English
  • 是否OA:未開(kāi)放
  • 學(xué)科領(lǐng)域

    工程技術(shù)
  • 中科院分區(qū)

    4區(qū)
  • JCR分區(qū)

    Q3
  • IF影響因子

    2.1
  • 是否預(yù)警

期刊簡(jiǎn)介

Journal Title:Ieee Transactions On Nanotechnology

The IEEE Transactions on Nanotechnology is devoted to the publication of manuscripts of archival value in the general area of nanotechnology, which is rapidly emerging as one of the fastest growing and most promising new technological developments for the next generation and beyond.

中文簡(jiǎn)介

《IEEE 納米技術(shù)學(xué)報(bào)》致力于出版納米技術(shù)領(lǐng)域具有檔案價(jià)值的手稿,納米技術(shù)正迅速成為下一代及以后發(fā)展最快、最有前途的新技術(shù)發(fā)展之一。

期刊點(diǎn)評(píng)

Ieee Transactions On Nanotechnology創(chuàng)刊于2002年,由Institute of Electrical and Electronics Engineers Inc.出版商出版,收稿方向涵蓋工程技術(shù) - 材料科學(xué):綜合全領(lǐng)域,此期刊水平偏中等偏靠后,在所屬細(xì)分領(lǐng)域中專(zhuān)業(yè)影響力一般,過(guò)審相對(duì)較易,如果您文章質(zhì)量佳,選擇此期刊,發(fā)表機(jī)率較高。平均審稿速度 約3.0個(gè)月 ,影響因子指數(shù)2.1,該期刊近期沒(méi)有被列入國(guó)際期刊預(yù)警名單,廣大學(xué)者值得一試。

中科院分區(qū)(數(shù)據(jù)版本:2023年12月升級(jí)版)

大類(lèi)學(xué)科 分區(qū) 小類(lèi)學(xué)科 分區(qū) Top期刊 綜述期刊
工程技術(shù) 4區(qū) ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:電子與電氣 MATERIALS SCIENCE, MULTIDISCIPLINARY 材料科學(xué):綜合 NANOSCIENCE & NANOTECHNOLOGY 納米科技 PHYSICS, APPLIED 物理:應(yīng)用 4區(qū) 4區(qū) 4區(qū) 4區(qū)

名詞解釋?zhuān)?br />中科院分區(qū)也叫中科院JCR分區(qū),基礎(chǔ)版分為13個(gè)大類(lèi)學(xué)科,然后按照各類(lèi)期刊影響因子分別將每個(gè)類(lèi)別分為四個(gè)區(qū),影響因子5%為1區(qū),6%-20%為2區(qū),21%-50%為3區(qū),其余為4區(qū)。

中科院分區(qū)(數(shù)據(jù)版本:2022年12月升級(jí)版)

大類(lèi)學(xué)科 分區(qū) 小類(lèi)學(xué)科 分區(qū) Top期刊 綜述期刊
工程技術(shù) 3區(qū) PHYSICS, APPLIED 物理:應(yīng)用 ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:電子與電氣 MATERIALS SCIENCE, MULTIDISCIPLINARY 材料科學(xué):綜合 NANOSCIENCE & NANOTECHNOLOGY 納米科技 3區(qū) 4區(qū) 4區(qū) 4區(qū)

中科院分區(qū)(數(shù)據(jù)版本:2021年12月舊的升級(jí)版)

大類(lèi)學(xué)科 分區(qū) 小類(lèi)學(xué)科 分區(qū) Top期刊 綜述期刊
工程技術(shù) 3區(qū) ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:電子與電氣 MATERIALS SCIENCE, MULTIDISCIPLINARY 材料科學(xué):綜合 NANOSCIENCE & NANOTECHNOLOGY 納米科技 PHYSICS, APPLIED 物理:應(yīng)用 4區(qū) 4區(qū) 4區(qū) 4區(qū)

中科院分區(qū)(數(shù)據(jù)版本:2021年12月基礎(chǔ)版)

大類(lèi)學(xué)科 分區(qū) 小類(lèi)學(xué)科 分區(qū) Top期刊 綜述期刊
工程技術(shù) 4區(qū) ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:電子與電氣 MATERIALS SCIENCE, MULTIDISCIPLINARY 材料科學(xué):綜合 NANOSCIENCE & NANOTECHNOLOGY 納米科技 PHYSICS, APPLIED 物理:應(yīng)用 4區(qū) 4區(qū) 4區(qū) 4區(qū)

中科院分區(qū)(數(shù)據(jù)版本:2021年12月升級(jí)版)

大類(lèi)學(xué)科 分區(qū) 小類(lèi)學(xué)科 分區(qū) Top期刊 綜述期刊
工程技術(shù) 3區(qū) ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:電子與電氣 MATERIALS SCIENCE, MULTIDISCIPLINARY 材料科學(xué):綜合 NANOSCIENCE & NANOTECHNOLOGY 納米科技 PHYSICS, APPLIED 物理:應(yīng)用 4區(qū) 4區(qū) 4區(qū) 4區(qū)

中科院分區(qū)(數(shù)據(jù)版本:2020年12月舊的升級(jí)版)

大類(lèi)學(xué)科 分區(qū) 小類(lèi)學(xué)科 分區(qū) Top期刊 綜述期刊
工程技術(shù) 4區(qū) ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:電子與電氣 MATERIALS SCIENCE, MULTIDISCIPLINARY 材料科學(xué):綜合 NANOSCIENCE & NANOTECHNOLOGY 納米科技 PHYSICS, APPLIED 物理:應(yīng)用 4區(qū) 4區(qū) 4區(qū) 4區(qū)

WOS分區(qū)(數(shù)據(jù)版本:2023-2024年最新版)

按JIF指標(biāo)學(xué)科分區(qū) 收錄子集 分區(qū) 排名 百分位
學(xué)科:ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC SCIE Q3 192 / 352

45.6%

學(xué)科:MATERIALS SCIENCE, MULTIDISCIPLINARY SCIE Q3 286 / 438

34.8%

學(xué)科:NANOSCIENCE & NANOTECHNOLOGY SCIE Q3 105 / 140

25.4%

學(xué)科:PHYSICS, APPLIED SCIE Q3 109 / 179

39.4%

按JCI指標(biāo)學(xué)科分區(qū) 收錄子集 分區(qū) 排名 百分位
學(xué)科:ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC SCIE Q3 200 / 354

43.64%

學(xué)科:MATERIALS SCIENCE, MULTIDISCIPLINARY SCIE Q3 255 / 438

41.89%

學(xué)科:NANOSCIENCE & NANOTECHNOLOGY SCIE Q3 82 / 140

41.79%

學(xué)科:PHYSICS, APPLIED SCIE Q3 106 / 179

41.06%

名詞解釋?zhuān)?br />WOS即Web of Science,是全球獲取學(xué)術(shù)信息的重要數(shù)據(jù)庫(kù),Web of Science包括自然科學(xué)、社會(huì)科學(xué)、藝術(shù)與人文領(lǐng)域的信息,來(lái)自全世界近9,000種最負(fù)盛名的高影響力研究期刊及12,000多種學(xué)術(shù)會(huì)議多學(xué)科內(nèi)容。給期刊分區(qū)時(shí)會(huì)按照某一個(gè)學(xué)科領(lǐng)域劃分,根據(jù)這一學(xué)科所有按照影響因子數(shù)值降序排名,然后平均分成4等份,期刊影響因子值高的就會(huì)在高分區(qū)中,最后的劃分結(jié)果分別是Q1,Q2,Q3,Q4,Q1代表質(zhì)量最高。

CiteScore分區(qū)(數(shù)據(jù)版本:2024年最新版)

CiteScore SJR SNIP CiteScore排名
4.8 0.435 0.783
學(xué)科 分區(qū) 排名 百分位
大類(lèi):Engineering 小類(lèi):Electrical and Electronic Engineering Q2 278 / 797

65%

大類(lèi):Engineering 小類(lèi):Computer Science Applications Q2 330 / 817

59%

名詞解釋?zhuān)?br />CiteScore:衡量期刊所發(fā)表文獻(xiàn)的平均受引用次數(shù)。
SJR:SCImago 期刊等級(jí)衡量經(jīng)過(guò)加權(quán)后的期刊受引用次數(shù)。引用次數(shù)的加權(quán)值由施引期刊的學(xué)科領(lǐng)域和聲望 (SJR) 決定。
SNIP:每篇文章中來(lái)源出版物的標(biāo)準(zhǔn)化影響將實(shí)際受引用情況對(duì)照期刊所屬學(xué)科領(lǐng)域中預(yù)期的受引用情況進(jìn)行衡量。

其他數(shù)據(jù)

是否OA開(kāi)放訪問(wèn): h-index: 年文章數(shù):
未開(kāi)放 73 109
Gold OA文章占比: 2021-2022最新影響因子(數(shù)據(jù)來(lái)源于搜索引擎): 開(kāi)源占比(OA被引用占比):
8.41% 2.1 0.11...
研究類(lèi)文章占比:文章 ÷(文章 + 綜述) 期刊收錄: 中科院《國(guó)際期刊預(yù)警名單(試行)》名單:
100.00% SCIE

歷年IF值(影響因子):

歷年引文指標(biāo)和發(fā)文量:

歷年中科院JCR大類(lèi)分區(qū)數(shù)據(jù):

歷年自引數(shù)據(jù):

發(fā)文統(tǒng)計(jì)

2023-2024國(guó)家/地區(qū)發(fā)文量統(tǒng)計(jì):

國(guó)家/地區(qū) 數(shù)量
CHINA MAINLAND 119
USA 104
India 91
Taiwan 39
South Korea 28
Iran 27
GERMANY (FED REP GER) 18
Italy 17
France 14
Spain 14

2023-2024機(jī)構(gòu)發(fā)文量統(tǒng)計(jì):

機(jī)構(gòu) 數(shù)量
INDIAN INSTITUTE OF TECHNOLOGY S... 33
NATIONAL INSTITUTE OF TECHNOLOGY... 24
CHINESE ACADEMY OF SCIENCES 22
UNIVERSITY OF CALIFORNIA SYSTEM 14
UNIVERSITY OF ELECTRONIC SCIENCE... 12
CENTRE NATIONAL DE LA RECHERCHE ... 11
NATIONAL YANG MING CHIAO TUNG UN... 10
UNIVERSITY OF HONG KONG 10
JILIN UNIVERSITY 9
BIRLA INSTITUTE OF TECHNOLOGY & ... 8

近年引用統(tǒng)計(jì):

期刊名稱 數(shù)量
APPL PHYS LETT 177
IEEE T ELECTRON DEV 134
IEEE T NANOTECHNOL 128
NANO LETT 107
J APPL PHYS 100
ACS NANO 91
NATURE 90
SCIENCE 77
SENSOR ACTUAT B-CHEM 74
IEEE ELECTR DEVICE L 70

近年被引用統(tǒng)計(jì):

期刊名稱 數(shù)量
IEEE T NANOTECHNOL 128
IEEE ACCESS 89
IEEE T ELECTRON DEV 88
MICROELECTRON J 47
IEEE SENS J 44
NANOTECHNOLOGY 42
MICROSYST TECHNOL 38
IEEE T VLSI SYST 37
J ELECTRON MATER 37
MATER RES EXPRESS 36

近年文章引用統(tǒng)計(jì):

文章名稱 數(shù)量
An Improved Particle Filter With... 44
Graphene-Silicon Schottky Diodes... 26
One-Step Synthesis of Au/SnO2/RG... 21
Perovskite Methylammonium Lead T... 18
Digital Metasurface Based on Gra... 17
Engineering Hexagonal Array of N... 14
Highly Sensitive Ammonia Sensors... 14
Parasitic Effect Analysis in Mem... 13
Challenges and Limitations of CM... 12
Understanding Energy Efficiency ... 12

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免責(zé)聲明

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