SCIE
學(xué)科領(lǐng)域
工程技術(shù)中科院分區(qū)
4區(qū)JCR分區(qū)
Q3IF影響因子
1.5是否預(yù)警
否Journal Title：Journal Of Vacuum Science & Technology B
Journal of Vacuum Science & Technology B emphasizes processing, measurement and phenomena associated with micrometer and nanometer structures and devices. Processing may include vacuum processing, plasma processing and microlithography among others, while measurement refers to a wide range of materials and device characterization methods for understanding the physics and chemistry of submicron and nanometer structures and devices.
《真空科學(xué)與技術(shù)雜志 B》側(cè)重于微米和納米結(jié)構(gòu)及設(shè)備相關(guān)的加工、測(cè)量和現(xiàn)象。加工可能包括真空加工、等離子加工和微光刻等，而測(cè)量則涉及各種材料和設(shè)備表征方法，用于了解亞微米和納米結(jié)構(gòu)及設(shè)備的物理和化學(xué)性質(zhì)。
Journal Of Vacuum Science & Technology B創(chuàng)刊于1991年，由A V S AMER INST PHYSICS出版商出版，收稿方向涵蓋工程技術(shù) - 工程：電子與電氣全領(lǐng)域，此期刊水平偏中等偏靠后，在所屬細(xì)分領(lǐng)域中專(zhuān)業(yè)影響力一般，過(guò)審相對(duì)較易，如果您文章質(zhì)量佳，選擇此期刊，發(fā)表機(jī)率較高。平均審稿速度 約3.0個(gè)月 ，影響因子指數(shù)1.5，該期刊近期沒(méi)有被列入國(guó)際期刊預(yù)警名單，廣大學(xué)者值得一試。
| 大類(lèi)學(xué)科 | 分區(qū) | 小類(lèi)學(xué)科 | 分區(qū) | Top期刊 | 綜述期刊 |
| 工程技術(shù) | 4區(qū) | ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程：電子與電氣 NANOSCIENCE & NANOTECHNOLOGY 納米科技 PHYSICS, APPLIED 物理：應(yīng)用 | 4區(qū) 4區(qū) 4區(qū) | 否 | 否 |
名詞解釋?zhuān)?br />中科院分區(qū)也叫中科院JCR分區(qū)，基礎(chǔ)版分為13個(gè)大類(lèi)學(xué)科，然后按照各類(lèi)期刊影響因子分別將每個(gè)類(lèi)別分為四個(gè)區(qū)，影響因子5%為1區(qū)，6%-20%為2區(qū)，21%-50%為3區(qū)，其余為4區(qū)。
| 大類(lèi)學(xué)科 | 分區(qū) | 小類(lèi)學(xué)科 | 分區(qū) | Top期刊 | 綜述期刊 |
| 工程技術(shù) | 4區(qū) | ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程：電子與電氣 NANOSCIENCE & NANOTECHNOLOGY 納米科技 PHYSICS, APPLIED 物理：應(yīng)用 | 4區(qū) 4區(qū) 4區(qū) | 否 | 否 |
| 大類(lèi)學(xué)科 | 分區(qū) | 小類(lèi)學(xué)科 | 分區(qū) | Top期刊 | 綜述期刊 |
| 工程技術(shù) | 4區(qū) | ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程：電子與電氣 NANOSCIENCE & NANOTECHNOLOGY 納米科技 PHYSICS, APPLIED 物理：應(yīng)用 | 4區(qū) 4區(qū) 4區(qū) | 否 | 否 |
| 大類(lèi)學(xué)科 | 分區(qū) | 小類(lèi)學(xué)科 | 分區(qū) | Top期刊 | 綜述期刊 |
| 工程技術(shù) | 4區(qū) | ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程：電子與電氣 NANOSCIENCE & NANOTECHNOLOGY 納米科技 PHYSICS, APPLIED 物理：應(yīng)用 | 4區(qū) 4區(qū) 4區(qū) | 否 | 否 |
| 大類(lèi)學(xué)科 | 分區(qū) | 小類(lèi)學(xué)科 | 分區(qū) | Top期刊 | 綜述期刊 |
| 工程技術(shù) | 4區(qū) | ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程：電子與電氣 NANOSCIENCE & NANOTECHNOLOGY 納米科技 PHYSICS, APPLIED 物理：應(yīng)用 | 4區(qū) 4區(qū) 4區(qū) | 否 | 否 |
| 按JIF指標(biāo)學(xué)科分區(qū) | 收錄子集 | 分區(qū) | 排名 | 百分位 |
| 學(xué)科：ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC | SCIE | Q3 | 252 / 352 |
28.6% |
| 學(xué)科：NANOSCIENCE & NANOTECHNOLOGY | SCIE | Q4 | 115 / 140 |
18.2% |
| 學(xué)科：PHYSICS, APPLIED | SCIE | Q3 | 134 / 179 |
25.4% |
| 按JCI指標(biāo)學(xué)科分區(qū) | 收錄子集 | 分區(qū) | 排名 | 百分位 |
| 學(xué)科：ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC | SCIE | Q4 | 278 / 354 |
21.61% |
| 學(xué)科：NANOSCIENCE & NANOTECHNOLOGY | SCIE | Q4 | 115 / 140 |
18.21% |
| 學(xué)科：PHYSICS, APPLIED | SCIE | Q4 | 145 / 179 |
19.27% |
名詞解釋?zhuān)?br />WOS即Web of Science，是全球獲取學(xué)術(shù)信息的重要數(shù)據(jù)庫(kù)，Web of Science包括自然科學(xué)、社會(huì)科學(xué)、藝術(shù)與人文領(lǐng)域的信息，來(lái)自全世界近9,000種最負(fù)盛名的高影響力研究期刊及12,000多種學(xué)術(shù)會(huì)議多學(xué)科內(nèi)容。給期刊分區(qū)時(shí)會(huì)按照某一個(gè)學(xué)科領(lǐng)域劃分，根據(jù)這一學(xué)科所有按照影響因子數(shù)值降序排名，然后平均分成4等份，期刊影響因子值高的就會(huì)在高分區(qū)中，最后的劃分結(jié)果分別是Q1，Q2，Q3，Q4，Q1代表質(zhì)量最高。
| 是否OA開(kāi)放訪(fǎng)問(wèn)： | h-index： | 年文章數(shù)： |
| 未開(kāi)放 | -- | 197 |
| Gold OA文章占比： | 2021-2022最新影響因子（數(shù)據(jù)來(lái)源于搜索引擎）: | 開(kāi)源占比（OA被引用占比）： |
| 16.37% | 1.5 | 0.22... |
| 研究類(lèi)文章占比：文章 ÷（文章 + 綜述） | 期刊收錄： | 中科院《國(guó)際期刊預(yù)警名單（試行）》名單： |
| 96.45% | SCIE | 否 |
歷年IF值(影響因子)：
歷年引文指標(biāo)和發(fā)文量：
歷年中科院JCR大類(lèi)分區(qū)數(shù)據(jù)：
歷年自引數(shù)據(jù)：
近年引用統(tǒng)計(jì)：
| 期刊名稱(chēng) | 數(shù)量 |
| APPL PHYS LETT | 314 |
| J VAC SCI TECHNOL B | 201 |
| J APPL PHYS | 198 |
| PHYS REV B | 108 |
| J VAC SCI TECHNOL A | 80 |
| NANO LETT | 77 |
| THIN SOLID FILMS | 66 |
| APPL SURF SCI | 62 |
| MICROELECTRON ENG | 62 |
| NANOTECHNOLOGY | 62 |
近年被引用統(tǒng)計(jì)：
| 期刊名稱(chēng) | 數(shù)量 |
| JPN J APPL PHYS | 267 |
| J APPL PHYS | 249 |
| J VAC SCI TECHNOL B | 201 |
| APPL SURF SCI | 152 |
| J VAC SCI TECHNOL A | 141 |
| ACS APPL MATER INTER | 126 |
| NANOTECHNOLOGY | 121 |
| APPL PHYS LETT | 112 |
| ECS J SOLID STATE SC | 105 |
| MATER RES EXPRESS | 94 |
近年文章引用統(tǒng)計(jì)：
| 文章名稱(chēng) | 數(shù)量 |
| Review Article: Synthesis, prope... | 21 |
| Review Article: Atomic layer dep... | 14 |
| Tutorial on interpreting x-ray p... | 9 |
| Future prospects of fluoride bas... | 7 |
| Realizing ferroelectric Hf0.5Zr0... | 7 |
| High-density energy storage in S... | 6 |
| Minimal domain size necessary to... | 6 |
| Direct metal etch of ruthenium f... | 6 |
| Reduced twinning and surface rou... | 6 |
| Atomic force microscope integrat... | 6 |
| 同小類(lèi)學(xué)科的其他優(yōu)質(zhì)期刊 | 影響因子 | 中科院分區(qū) |
| International Journal Of Ventilation | 1.1 | 4區(qū) |
| Journal Of Environmental Chemical Engineering | 7.4 | 2區(qū) |
| Journal Of Energy Storage | 8.9 | 2區(qū) |
| Complexity | 1.7 | 4區(qū) |
| Chemical Engineering Journal | 13.3 | 1區(qū) |
| International Journal Of Hydrogen Energy | 8.1 | 2區(qū) |
| Aerospace | 2.1 | 3區(qū) |
| Electronics | 2.6 | 3區(qū) |
| Shock Waves | 1.7 | 4區(qū) |
| Buildings | 3.1 | 3區(qū) |
若用戶(hù)需要出版服務(wù)，請(qǐng)聯(lián)系出版商：A V S AMER INST PHYSICS, STE 1 NO 1, 2 HUNTINGTON QUADRANGLE, MELVILLE, USA, NY, 11747-4502。
