Journal Title：Ieee Electron Device Letters

IEEE Electron Device Letters publishes original and significant contributions relating to the theory, modeling, design, performance and reliability of electron and ion integrated circuit devices and interconnects, involving insulators, metals, organic materials, micro-plasmas, semiconductors, quantum-effect structures, vacuum devices, and emerging materials with applications in bioelectronics, biomedical electronics, computation, communications, displays, microelectromechanics, imaging, micro-actuators, nanoelectronics, optoelectronics, photovoltaics, power ICs and micro-sensors.

IEEE Electron Device Letters 發(fā)表與電子和離子集成電路器件和互連的理論、建模、設計、性能和可靠性有關的原創(chuàng)性和重要貢獻，涉及絕緣體、金屬、有機材料、微等離子體、半導體、量子效應結構、真空器件和新興材料，應用于生物電子學、生物醫(yī)學電子學、計算、通信、顯示器、微機電學、成像、微執(zhí)行器、納米電子學、光電子學、光伏、功率集成電路和微傳感器。

Ieee Electron Device Letters創(chuàng)刊于1980年，由Institute of Electrical and Electronics Engineers Inc.出版商出版，收稿方向涵蓋工程技術 - 工程：電子與電氣全領域，此刊是該細分領域中屬于非常不錯的SCI期刊，在行業(yè)細分領域中學術影響力較大，專業(yè)度認可很高，所以對原創(chuàng)文章要求創(chuàng)新性較高，如果您的文章質量很高，可以嘗試。平均審稿速度 約1.3個月 ，影響因子指數(shù)4.1，該期刊近期沒有被列入國際期刊預警名單，廣大學者值得一試。