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Semiconductor Science And Technology SCIE

Semiconductor Science And Technology

  • ISSN:0268-1242
  • ESSN:1361-6641
  • 國際標(biāo)準(zhǔn)簡稱:SEMICOND SCI TECH
  • 出版地區(qū):ENGLAND
  • 出版周期:Monthly
  • 研究方向:工程技術(shù) - 材料科學(xué):綜合
  • 出版年份:1986
  • 語言:English
  • 是否OA:未開放
  • 學(xué)科領(lǐng)域

    工程技術(shù)
  • 中科院分區(qū)

    4區(qū)
  • JCR分區(qū)

    Q3
  • IF影響因子

    1.9
  • 是否預(yù)警

期刊簡介

Journal Title:Semiconductor Science And Technology

Devoted to semiconductor research, Semiconductor Science and Technology's multidisciplinary approach reflects the far-reaching nature of this topic.

The scope of the journal covers fundamental and applied experimental and theoretical studies of the properties of non-organic, organic and oxide semiconductors, their interfaces and devices, including:

fundamental properties

materials and nanostructures

devices and applications

fabrication and processing

new analytical techniques

simulation

emerging fields:

materials and devices for quantum technologies

hybrid structures and devices

2D and topological materials

metamaterials

semiconductors for energy

flexible electronics.

中文簡介

《半導(dǎo)體科學(xué)與技術(shù)》致力于半導(dǎo)體研究,其多學(xué)科方法反映了該主題的深遠(yuǎn)性質(zhì)。

該期刊的范圍涵蓋非有機(jī)、有機(jī)和氧化物半導(dǎo)體及其界面和器件的性質(zhì)的基礎(chǔ)和應(yīng)用實(shí)驗(yàn)和理論研究,包括:

基本性質(zhì)

材料和納米結(jié)構(gòu)

器件和應(yīng)用

制造和加工

新分析技術(shù)

模擬

新興領(lǐng)域:

量子技術(shù)材料和器件

混合結(jié)構(gòu)和器件

2D和拓?fù)洳牧?/p>

超材料

能源半導(dǎo)體

柔性電子。

期刊點(diǎn)評

Semiconductor Science And Technology創(chuàng)刊于1986年,由IOP Publishing Ltd.出版商出版,收稿方向涵蓋工程技術(shù) - 材料科學(xué):綜合全領(lǐng)域,此期刊水平偏中等偏靠后,在所屬細(xì)分領(lǐng)域中專業(yè)影響力一般,過審相對較易,如果您文章質(zhì)量佳,選擇此期刊,發(fā)表機(jī)率較高。平均審稿速度 一般,3-6周 ,影響因子指數(shù)1.9,該期刊近期沒有被列入國際期刊預(yù)警名單,廣大學(xué)者值得一試。

中科院分區(qū)(數(shù)據(jù)版本:2023年12月升級版)

大類學(xué)科 分區(qū) 小類學(xué)科 分區(qū) Top期刊 綜述期刊
工程技術(shù) 4區(qū) ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:電子與電氣 MATERIALS SCIENCE, MULTIDISCIPLINARY 材料科學(xué):綜合 PHYSICS, CONDENSED MATTER 物理:凝聚態(tài)物理 4區(qū) 4區(qū) 4區(qū)

名詞解釋:
中科院分區(qū)也叫中科院JCR分區(qū),基礎(chǔ)版分為13個(gè)大類學(xué)科,然后按照各類期刊影響因子分別將每個(gè)類別分為四個(gè)區(qū),影響因子5%為1區(qū),6%-20%為2區(qū),21%-50%為3區(qū),其余為4區(qū)。

中科院分區(qū)(數(shù)據(jù)版本:2022年12月升級版)

大類學(xué)科 分區(qū) 小類學(xué)科 分區(qū) Top期刊 綜述期刊
工程技術(shù) 4區(qū) ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:電子與電氣 MATERIALS SCIENCE, MULTIDISCIPLINARY 材料科學(xué):綜合 PHYSICS, CONDENSED MATTER 物理:凝聚態(tài)物理 4區(qū) 4區(qū) 4區(qū)

中科院分區(qū)(數(shù)據(jù)版本:2021年12月舊的升級版)

大類學(xué)科 分區(qū) 小類學(xué)科 分區(qū) Top期刊 綜述期刊
工程技術(shù) 4區(qū) ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:電子與電氣 MATERIALS SCIENCE, MULTIDISCIPLINARY 材料科學(xué):綜合 PHYSICS, CONDENSED MATTER 物理:凝聚態(tài)物理 4區(qū) 4區(qū) 4區(qū)

中科院分區(qū)(數(shù)據(jù)版本:2021年12月基礎(chǔ)版)

大類學(xué)科 分區(qū) 小類學(xué)科 分區(qū) Top期刊 綜述期刊
工程技術(shù) 3區(qū) ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:電子與電氣 MATERIALS SCIENCE, MULTIDISCIPLINARY 材料科學(xué):綜合 PHYSICS, CONDENSED MATTER 物理:凝聚態(tài)物理 4區(qū) 4區(qū) 4區(qū)

中科院分區(qū)(數(shù)據(jù)版本:2021年12月升級版)

大類學(xué)科 分區(qū) 小類學(xué)科 分區(qū) Top期刊 綜述期刊
工程技術(shù) 4區(qū) ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:電子與電氣 MATERIALS SCIENCE, MULTIDISCIPLINARY 材料科學(xué):綜合 PHYSICS, CONDENSED MATTER 物理:凝聚態(tài)物理 4區(qū) 4區(qū) 4區(qū)

中科院分區(qū)(數(shù)據(jù)版本:2020年12月舊的升級版)

大類學(xué)科 分區(qū) 小類學(xué)科 分區(qū) Top期刊 綜述期刊
工程技術(shù) 3區(qū) PHYSICS, CONDENSED MATTER 物理:凝聚態(tài)物理 ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:電子與電氣 MATERIALS SCIENCE, MULTIDISCIPLINARY 材料科學(xué):綜合 3區(qū) 4區(qū) 4區(qū)

WOS分區(qū)(數(shù)據(jù)版本:2023-2024年最新版)

按JIF指標(biāo)學(xué)科分區(qū) 收錄子集 分區(qū) 排名 百分位
學(xué)科:ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC SCIE Q3 211 / 352

40.2%

學(xué)科:MATERIALS SCIENCE, MULTIDISCIPLINARY SCIE Q3 301 / 438

31.4%

學(xué)科:PHYSICS, CONDENSED MATTER SCIE Q3 50 / 79

37.3%

按JCI指標(biāo)學(xué)科分區(qū) 收錄子集 分區(qū) 排名 百分位
學(xué)科:ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC SCIE Q3 238 / 354

32.91%

學(xué)科:MATERIALS SCIENCE, MULTIDISCIPLINARY SCIE Q3 293 / 438

33.22%

學(xué)科:PHYSICS, CONDENSED MATTER SCIE Q3 51 / 79

36.08%

名詞解釋:
WOS即Web of Science,是全球獲取學(xué)術(shù)信息的重要數(shù)據(jù)庫,Web of Science包括自然科學(xué)、社會(huì)科學(xué)、藝術(shù)與人文領(lǐng)域的信息,來自全世界近9,000種最負(fù)盛名的高影響力研究期刊及12,000多種學(xué)術(shù)會(huì)議多學(xué)科內(nèi)容。給期刊分區(qū)時(shí)會(huì)按照某一個(gè)學(xué)科領(lǐng)域劃分,根據(jù)這一學(xué)科所有按照影響因子數(shù)值降序排名,然后平均分成4等份,期刊影響因子值高的就會(huì)在高分區(qū)中,最后的劃分結(jié)果分別是Q1,Q2,Q3,Q4,Q1代表質(zhì)量最高。

CiteScore分區(qū)(數(shù)據(jù)版本:2024年最新版)

CiteScore SJR SNIP CiteScore排名
4.3 0.411 0.741
學(xué)科 分區(qū) 排名 百分位
大類:Engineering 小類:Electrical and Electronic Engineering Q2 305 / 797

61%

大類:Engineering 小類:Condensed Matter Physics Q2 167 / 434

61%

大類:Engineering 小類:Materials Chemistry Q2 137 / 317

56%

大類:Engineering 小類:Electronic, Optical and Magnetic Materials Q2 126 / 284

55%

名詞解釋:
CiteScore:衡量期刊所發(fā)表文獻(xiàn)的平均受引用次數(shù)。
SJR:SCImago 期刊等級衡量經(jīng)過加權(quán)后的期刊受引用次數(shù)。引用次數(shù)的加權(quán)值由施引期刊的學(xué)科領(lǐng)域和聲望 (SJR) 決定。
SNIP:每篇文章中來源出版物的標(biāo)準(zhǔn)化影響將實(shí)際受引用情況對照期刊所屬學(xué)科領(lǐng)域中預(yù)期的受引用情況進(jìn)行衡量。

其他數(shù)據(jù)

是否OA開放訪問: h-index: 年文章數(shù):
未開放 99 193
Gold OA文章占比: 2021-2022最新影響因子(數(shù)據(jù)來源于搜索引擎): 開源占比(OA被引用占比):
10.23% 1.9 0.07...
研究類文章占比:文章 ÷(文章 + 綜述) 期刊收錄: 中科院《國際期刊預(yù)警名單(試行)》名單:
95.85% SCIE

歷年IF值(影響因子):

歷年引文指標(biāo)和發(fā)文量:

歷年中科院JCR大類分區(qū)數(shù)據(jù):

歷年自引數(shù)據(jù):

發(fā)文統(tǒng)計(jì)

2023-2024國家/地區(qū)發(fā)文量統(tǒng)計(jì):

國家/地區(qū) 數(shù)量
CHINA MAINLAND 257
USA 139
India 121
GERMANY (FED REP GER) 95
South Korea 90
England 64
Japan 64
France 55
Russia 52
Taiwan 31

2023-2024機(jī)構(gòu)發(fā)文量統(tǒng)計(jì):

機(jī)構(gòu) 數(shù)量
CHINESE ACADEMY OF SCIENCES 63
INDIAN INSTITUTE OF TECHNOLOGY S... 47
RUSSIAN ACADEMY OF SCIENCES 42
CENTRE NATIONAL DE LA RECHERCHE ... 41
UNIVERSITY OF CALIFORNIA SYSTEM 34
IMEC 20
SUNGKYUNKWAN UNIVERSITY (SKKU) 20
FERDINAND-BRAUN-INSTITUT LEIBNIZ... 18
PEKING UNIVERSITY 18
XIDIAN UNIVERSITY 17

近年引用統(tǒng)計(jì):

期刊名稱 數(shù)量
APPL PHYS LETT 1311
J APPL PHYS 761
PHYS REV B 700
IEEE T ELECTRON DEV 412
PHYS REV LETT 332
IEEE ELECTR DEVICE L 277
SEMICOND SCI TECH 276
NANO LETT 236
THIN SOLID FILMS 162
J CRYST GROWTH 150

近年被引用統(tǒng)計(jì):

期刊名稱 數(shù)量
J APPL PHYS 337
SEMICOND SCI TECH 276
PHYS REV B 205
MATER RES EXPRESS 191
APPL PHYS LETT 185
JPN J APPL PHYS 169
IEEE T ELECTRON DEV 145
SCI REP-UK 134
APPL SURF SCI 118
J MATER SCI-MATER EL 118

近年文章引用統(tǒng)計(jì):

文章名稱 數(shù)量
beta-Ga2O3 for wide-bandgap elec... 59
Phase-change materials for non-v... 53
Metal oxide nanostructures for s... 29
How to control defect formation ... 28
Terahertz radiation detectors: t... 21
Structural, electronic and phono... 19
Wide-bandgap, low-bandgap, and t... 18
Biaxial strain tuned electronic ... 17
A comprehensive device modelling... 15
The transport and optical sensin... 15

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