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Solid-state Electronics SCIE

Solid-state Electronics

  • ISSN:0038-1101
  • ESSN:1879-2405
  • 國際標(biāo)準(zhǔn)簡稱:SOLID STATE ELECTRON
  • 出版地區(qū):UNITED STATES
  • 出版周期:Monthly
  • 研究方向:物理 - 工程:電子與電氣
  • 出版年份:1960
  • 語言:English
  • 是否OA:未開放
  • 學(xué)科領(lǐng)域

    物理與天體物理
  • 中科院分區(qū)

    4區(qū)
  • JCR分區(qū)

    Q3
  • IF影響因子

    1.4
  • 是否預(yù)警

期刊簡介

Journal Title:Solid-state Electronics

It is the aim of this journal to bring together in one publication outstanding papers reporting new and original work in the following areas: (1) applications of solid-state physics and technology to electronics and optoelectronics, including theory and device design; (2) optical, electrical, morphological characterization techniques and parameter extraction of devices; (3) fabrication of semiconductor devices, and also device-related materials growth, measurement and evaluation; (4) the physics and modeling of submicron and nanoscale microelectronic and optoelectronic devices, including processing, measurement, and performance evaluation; (5) applications of numerical methods to the modeling and simulation of solid-state devices and processes; and (6) nanoscale electronic and optoelectronic devices, photovoltaics, sensors, and MEMS based on semiconductor and alternative electronic materials; (7) synthesis and electrooptical properties of materials for novel devices.

中文簡介

本期刊旨在將以下領(lǐng)域的新穎和原創(chuàng)工作的優(yōu)秀論文匯集到一本出版物中:(1)固體物理和技術(shù)在電子和光電子學(xué)中的應(yīng)用,包括理論和器件設(shè)計;(2)器件的光學(xué)、電學(xué)和形態(tài)表征技術(shù)和參數(shù)提?。唬?)半導(dǎo)體器件的制造以及與器件相關(guān)的材料的生長、測量和評估;(4)亞微米和納米級微電子和光電子器件的物理和建模,包括加工、測量和性能評估;(5)數(shù)值方法在固態(tài)器件和過程的建模和仿真中的應(yīng)用;(6)基于半導(dǎo)體和替代電子材料的納米級電子和光電子器件、光伏、傳感器和 MEMS;(7)新型器件材料的合成和光電特性。

期刊點(diǎn)評

Solid-state Electronics創(chuàng)刊于1960年,由Elsevier Ltd出版商出版,收稿方向涵蓋物理 - 工程:電子與電氣全領(lǐng)域,此期刊水平偏中等偏靠后,在所屬細(xì)分領(lǐng)域中專業(yè)影響力一般,過審相對較易,如果您文章質(zhì)量佳,選擇此期刊,發(fā)表機(jī)率較高。平均審稿速度 一般,3-6周 約9.2周,影響因子指數(shù)1.4,該期刊近期沒有被列入國際期刊預(yù)警名單,廣大學(xué)者值得一試。

中科院分區(qū)(數(shù)據(jù)版本:2023年12月升級版)

大類學(xué)科 分區(qū) 小類學(xué)科 分區(qū) Top期刊 綜述期刊
物理與天體物理 4區(qū) ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:電子與電氣 PHYSICS, APPLIED 物理:應(yīng)用 PHYSICS, CONDENSED MATTER 物理:凝聚態(tài)物理 4區(qū) 4區(qū) 4區(qū)

名詞解釋:
中科院分區(qū)也叫中科院JCR分區(qū),基礎(chǔ)版分為13個大類學(xué)科,然后按照各類期刊影響因子分別將每個類別分為四個區(qū),影響因子5%為1區(qū),6%-20%為2區(qū),21%-50%為3區(qū),其余為4區(qū)。

中科院分區(qū)(數(shù)據(jù)版本:2022年12月升級版)

大類學(xué)科 分區(qū) 小類學(xué)科 分區(qū) Top期刊 綜述期刊
物理與天體物理 3區(qū) PHYSICS, CONDENSED MATTER 物理:凝聚態(tài)物理 ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:電子與電氣 PHYSICS, APPLIED 物理:應(yīng)用 3區(qū) 4區(qū) 4區(qū)

中科院分區(qū)(數(shù)據(jù)版本:2021年12月舊的升級版)

大類學(xué)科 分區(qū) 小類學(xué)科 分區(qū) Top期刊 綜述期刊
物理與天體物理 3區(qū) PHYSICS, CONDENSED MATTER 物理:凝聚態(tài)物理 ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:電子與電氣 PHYSICS, APPLIED 物理:應(yīng)用 3區(qū) 4區(qū) 4區(qū)

中科院分區(qū)(數(shù)據(jù)版本:2021年12月基礎(chǔ)版)

大類學(xué)科 分區(qū) 小類學(xué)科 分區(qū) Top期刊 綜述期刊
物理 4區(qū) ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:電子與電氣 PHYSICS, APPLIED 物理:應(yīng)用 PHYSICS, CONDENSED MATTER 物理:凝聚態(tài)物理 4區(qū) 4區(qū) 4區(qū)

中科院分區(qū)(數(shù)據(jù)版本:2021年12月升級版)

大類學(xué)科 分區(qū) 小類學(xué)科 分區(qū) Top期刊 綜述期刊
物理與天體物理 3區(qū) PHYSICS, CONDENSED MATTER 物理:凝聚態(tài)物理 ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:電子與電氣 PHYSICS, APPLIED 物理:應(yīng)用 3區(qū) 4區(qū) 4區(qū)

中科院分區(qū)(數(shù)據(jù)版本:2020年12月舊的升級版)

大類學(xué)科 分區(qū) 小類學(xué)科 分區(qū) Top期刊 綜述期刊
物理與天體物理 3區(qū) ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:電子與電氣 PHYSICS, APPLIED 物理:應(yīng)用 PHYSICS, CONDENSED MATTER 物理:凝聚態(tài)物理 4區(qū) 4區(qū) 4區(qū)

WOS分區(qū)(數(shù)據(jù)版本:2023-2024年最新版)

按JIF指標(biāo)學(xué)科分區(qū) 收錄子集 分區(qū) 排名 百分位
學(xué)科:ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC SCIE Q3 259 / 352

26.6%

學(xué)科:PHYSICS, APPLIED SCIE Q4 138 / 179

23.2%

學(xué)科:PHYSICS, CONDENSED MATTER SCIE Q4 61 / 79

23.4%

按JCI指標(biāo)學(xué)科分區(qū) 收錄子集 分區(qū) 排名 百分位
學(xué)科:ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC SCIE Q3 261 / 354

26.41%

學(xué)科:PHYSICS, APPLIED SCIE Q3 133 / 179

25.98%

學(xué)科:PHYSICS, CONDENSED MATTER SCIE Q3 54 / 79

32.28%

名詞解釋:
WOS即Web of Science,是全球獲取學(xué)術(shù)信息的重要數(shù)據(jù)庫,Web of Science包括自然科學(xué)、社會科學(xué)、藝術(shù)與人文領(lǐng)域的信息,來自全世界近9,000種最負(fù)盛名的高影響力研究期刊及12,000多種學(xué)術(shù)會議多學(xué)科內(nèi)容。給期刊分區(qū)時會按照某一個學(xué)科領(lǐng)域劃分,根據(jù)這一學(xué)科所有按照影響因子數(shù)值降序排名,然后平均分成4等份,期刊影響因子值高的就會在高分區(qū)中,最后的劃分結(jié)果分別是Q1,Q2,Q3,Q4,Q1代表質(zhì)量最高。

CiteScore分區(qū)(數(shù)據(jù)版本:2024年最新版)

CiteScore SJR SNIP CiteScore排名
3 0.348 0.655
學(xué)科 分區(qū) 排名 百分位
大類:Engineering 小類:Electrical and Electronic Engineering Q3 419 / 797

47%

大類:Engineering 小類:Condensed Matter Physics Q3 245 / 434

43%

大類:Engineering 小類:Materials Chemistry Q3 182 / 317

42%

大類:Engineering 小類:Electronic, Optical and Magnetic Materials Q3 169 / 284

40%

名詞解釋:
CiteScore:衡量期刊所發(fā)表文獻(xiàn)的平均受引用次數(shù)。
SJR:SCImago 期刊等級衡量經(jīng)過加權(quán)后的期刊受引用次數(shù)。引用次數(shù)的加權(quán)值由施引期刊的學(xué)科領(lǐng)域和聲望 (SJR) 決定。
SNIP:每篇文章中來源出版物的標(biāo)準(zhǔn)化影響將實際受引用情況對照期刊所屬學(xué)科領(lǐng)域中預(yù)期的受引用情況進(jìn)行衡量。

其他數(shù)據(jù)

是否OA開放訪問: h-index: 年文章數(shù):
未開放 87 175
Gold OA文章占比: 2021-2022最新影響因子(數(shù)據(jù)來源于搜索引擎): 開源占比(OA被引用占比):
18.40% 1.4 0.08...
研究類文章占比:文章 ÷(文章 + 綜述) 期刊收錄: 中科院《國際期刊預(yù)警名單(試行)》名單:
99.43% SCIE

歷年IF值(影響因子):

歷年引文指標(biāo)和發(fā)文量:

歷年中科院JCR大類分區(qū)數(shù)據(jù):

歷年自引數(shù)據(jù):

發(fā)文統(tǒng)計

2023-2024國家/地區(qū)發(fā)文量統(tǒng)計:

國家/地區(qū) 數(shù)量
South Korea 131
CHINA MAINLAND 104
France 76
USA 53
GERMANY (FED REP GER) 36
India 24
Spain 21
England 17
Belgium 16
Japan 16

2023-2024機(jī)構(gòu)發(fā)文量統(tǒng)計:

機(jī)構(gòu) 數(shù)量
CENTRE NATIONAL DE LA RECHERCHE ... 55
COMMUNAUTE UNIVERSITE GRENOBLE A... 38
UNIVERSITE DE SAVOIE 33
CEA 32
SEOUL NATIONAL UNIVERSITY (SNU) 26
CHINESE ACADEMY OF SCIENCES 23
KYUNGPOOK NATIONAL UNIVERSITY 17
STMICROELECTRONICS 16
POHANG UNIVERSITY OF SCIENCE & T... 12
INDIAN INSTITUTE OF TECHNOLOGY S... 11

近年引用統(tǒng)計:

期刊名稱 數(shù)量
IEEE T ELECTRON DEV 431
IEEE ELECTR DEVICE L 257
APPL PHYS LETT 248
SOLID STATE ELECTRON 207
J APPL PHYS 136
PHYS REV B 106
NATURE 58
SEMICOND SCI TECH 52
PHYS REV LETT 47
THIN SOLID FILMS 43

近年被引用統(tǒng)計:

期刊名稱 數(shù)量
IEEE T ELECTRON DEV 384
SOLID STATE ELECTRON 207
J APPL PHYS 199
JPN J APPL PHYS 150
SEMICOND SCI TECH 123
J MATER SCI-MATER EL 111
IEEE J ELECTRON DEVI 105
IEEE ELECTR DEVICE L 96
APPL PHYS LETT 93
MATER RES EXPRESS 84

近年文章引用統(tǒng)計:

文章名稱 數(shù)量
Lightweight flexible indium-free... 21
The photovoltaic impact of atomi... 12
Current-voltage analytical model... 11
Low-voltage electric-double-laye... 11
Effect of defect creation and mi... 11
Characterization and modeling of... 10
Improve the performance of CZTSS... 10
A review on terahertz photogalva... 8
Multi-layer WSe2 field effect tr... 8
SnO2 nanoparticles/TiO2 nanofibe... 7

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