Journal Title：Microelectronics Reliability
Microelectronics Reliability, is dedicated to disseminating the latest research results and related information on the reliability of microelectronic devices, circuits and systems, from materials, process and manufacturing, to design, testing and operation. The coverage of the journal includes the following topics: measurement, understanding and analysis; evaluation and prediction; modelling and simulation; methodologies and mitigation. Papers which combine reliability with other important areas of microelectronics engineering, such as design, fabrication, integration, testing, and field operation will also be welcome, and practical papers reporting case studies in the field and specific application domains are particularly encouraged.
Most accepted papers will be published as Research Papers, describing significant advances and completed work. Papers reviewing important developing topics of general interest may be accepted for publication as Review Papers. Urgent communications of a more preliminary nature and short reports on completed practical work of current interest may be considered for publication as Research Notes. All contributions are subject to peer review by leading experts in the field.
《微電子可靠性》致力于傳播微電子設(shè)備、電路和系統(tǒng)可靠性的最新研究成果和相關(guān)信息，涵蓋材料、工藝和制造、設(shè)計、測試和操作等各個方面。該期刊涵蓋以下主題：測量、理解和分析；評估和預(yù)測；建模和仿真；方法和緩解。將可靠性與微電子工程其他重要領(lǐng)域（如設(shè)計、制造、集成、測試和現(xiàn)場操作）相結(jié)合的論文也將受到歡迎，并且特別鼓勵報告該領(lǐng)域和特定應(yīng)用領(lǐng)域案例研究的實踐論文。
大多數(shù)被接受的論文將以研究論文的形式發(fā)表，描述重大進展和已完成的工作?；仡櫰毡楦信d趣的重要發(fā)展主題的論文可能會被接受作為評論論文發(fā)表。更初步的緊急通訊和關(guān)于當前感興趣的已完成實踐工作的簡短報告可能會被考慮作為研究筆記發(fā)表。所有投稿均需經(jīng)過該領(lǐng)域頂尖專家的同行評審。
Microelectronics Reliability創(chuàng)刊于1964年，由Elsevier Ltd出版商出版，收稿方向涵蓋工程技術(shù) - 工程：電子與電氣全領(lǐng)域，此期刊水平偏中等偏靠后，在所屬細分領(lǐng)域中專業(yè)影響力一般，過審相對較易，如果您文章質(zhì)量佳，選擇此期刊，發(fā)表機率較高。平均審稿速度 較快,2-4周 約8.3周，影響因子指數(shù)1.6，該期刊近期沒有被列入國際期刊預(yù)警名單，廣大學(xué)者值得一試。
| 大類學(xué)科 | 分區(qū) | 小類學(xué)科 | 分區(qū) | Top期刊 | 綜述期刊 |
| 工程技術(shù) | 4區(qū) | ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程：電子與電氣 NANOSCIENCE & NANOTECHNOLOGY 納米科技 PHYSICS, APPLIED 物理：應(yīng)用 | 4區(qū) 4區(qū) 4區(qū) | 否 | 否 |
名詞解釋：
中科院分區(qū)也叫中科院JCR分區(qū)，基礎(chǔ)版分為13個大類學(xué)科，然后按照各類期刊影響因子分別將每個類別分為四個區(qū)，影響因子5%為1區(qū)，6%-20%為2區(qū)，21%-50%為3區(qū)，其余為4區(qū)。
| 大類學(xué)科 | 分區(qū) | 小類學(xué)科 | 分區(qū) | Top期刊 | 綜述期刊 |
| 工程技術(shù) | 4區(qū) | ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程：電子與電氣 NANOSCIENCE & NANOTECHNOLOGY 納米科技 PHYSICS, APPLIED 物理：應(yīng)用 | 4區(qū) 4區(qū) 4區(qū) | 否 | 否 |
| 大類學(xué)科 | 分區(qū) | 小類學(xué)科 | 分區(qū) | Top期刊 | 綜述期刊 |
| 工程技術(shù) | 4區(qū) | ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程：電子與電氣 NANOSCIENCE & NANOTECHNOLOGY 納米科技 PHYSICS, APPLIED 物理：應(yīng)用 | 4區(qū) 4區(qū) 4區(qū) | 否 | 否 |
| 大類學(xué)科 | 分區(qū) | 小類學(xué)科 | 分區(qū) | Top期刊 | 綜述期刊 |
| 工程技術(shù) | 4區(qū) | ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程：電子與電氣 NANOSCIENCE & NANOTECHNOLOGY 納米科技 PHYSICS, APPLIED 物理：應(yīng)用 | 4區(qū) 4區(qū) 4區(qū) | 否 | 否 |
| 大類學(xué)科 | 分區(qū) | 小類學(xué)科 | 分區(qū) | Top期刊 | 綜述期刊 |
| 工程技術(shù) | 4區(qū) | ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程：電子與電氣 NANOSCIENCE & NANOTECHNOLOGY 納米科技 PHYSICS, APPLIED 物理：應(yīng)用 | 4區(qū) 4區(qū) 4區(qū) | 否 | 否 |
| 大類學(xué)科 | 分區(qū) | 小類學(xué)科 | 分區(qū) | Top期刊 | 綜述期刊 |
| 工程技術(shù) | 4區(qū) | ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程：電子與電氣 NANOSCIENCE & NANOTECHNOLOGY 納米科技 PHYSICS, APPLIED 物理：應(yīng)用 | 4區(qū) 4區(qū) 4區(qū) | 否 | 否 |
| 按JIF指標學(xué)科分區(qū) | 收錄子集 | 分區(qū) | 排名 | 百分位 |
| 學(xué)科：ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC | SCIE | Q3 | 239 / 352 |
32.2% |
| 學(xué)科：NANOSCIENCE & NANOTECHNOLOGY | SCIE | Q4 | 113 / 140 |
19.6% |
| 學(xué)科：PHYSICS, APPLIED | SCIE | Q3 | 131 / 179 |
27.1% |
| 按JCI指標學(xué)科分區(qū) | 收錄子集 | 分區(qū) | 排名 | 百分位 |
| 學(xué)科：ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC | SCIE | Q4 | 272 / 354 |
23.31% |
| 學(xué)科：NANOSCIENCE & NANOTECHNOLOGY | SCIE | Q4 | 114 / 140 |
18.93% |
| 學(xué)科：PHYSICS, APPLIED | SCIE | Q4 | 140 / 179 |
22.07% |
名詞解釋：
WOS即Web of Science，是全球獲取學(xué)術(shù)信息的重要數(shù)據(jù)庫，Web of Science包括自然科學(xué)、社會科學(xué)、藝術(shù)與人文領(lǐng)域的信息，來自全世界近9,000種最負盛名的高影響力研究期刊及12,000多種學(xué)術(shù)會議多學(xué)科內(nèi)容。給期刊分區(qū)時會按照某一個學(xué)科領(lǐng)域劃分，根據(jù)這一學(xué)科所有按照影響因子數(shù)值降序排名，然后平均分成4等份，期刊影響因子值高的就會在高分區(qū)中，最后的劃分結(jié)果分別是Q1，Q2，Q3，Q4，Q1代表質(zhì)量最高。
| CiteScore | SJR | SNIP | CiteScore排名 | ||||||||||||||||||||||||||||
| 3.3 | 0.394 | 0.801 |
|
名詞解釋：
CiteScore：衡量期刊所發(fā)表文獻的平均受引用次數(shù)。
SJR:SCImago 期刊等級衡量經(jīng)過加權(quán)后的期刊受引用次數(shù)。引用次數(shù)的加權(quán)值由施引期刊的學(xué)科領(lǐng)域和聲望 (SJR) 決定。
SNIP:每篇文章中來源出版物的標準化影響將實際受引用情況對照期刊所屬學(xué)科領(lǐng)域中預(yù)期的受引用情況進行衡量。
| 是否OA開放訪問： | h-index： | 年文章數(shù)： |
| 未開放 | 80 | 310 |
| Gold OA文章占比： | 2021-2022最新影響因子（數(shù)據(jù)來源于搜索引擎）: | 開源占比（OA被引用占比）： |
| 14.36% | 1.6 | 0.06... |
| 研究類文章占比：文章 ÷（文章 + 綜述） | 期刊收錄： | 中科院《國際期刊預(yù)警名單（試行）》名單： |
| 98.39% | SCIE | 否 |
歷年IF值(影響因子)：
歷年引文指標和發(fā)文量：
歷年中科院JCR大類分區(qū)數(shù)據(jù)：
歷年自引數(shù)據(jù)：
近年引用統(tǒng)計：
| 期刊名稱 | 數(shù)量 |
| MICROELECTRON RELIAB | 512 |
| IEEE T NUCL SCI | 360 |
| IEEE T ELECTRON DEV | 270 |
| J APPL PHYS | 142 |
| APPL PHYS LETT | 135 |
| IEEE T POWER ELECTR | 120 |
| IEEE ELECTR DEVICE L | 101 |
| IEEE T COMP PACK MAN | 98 |
| J ELECTRON MATER | 93 |
| IEEE T DEVICE MAT RE | 88 |
近年被引用統(tǒng)計：
| 期刊名稱 | 數(shù)量 |
| MICROELECTRON RELIAB | 512 |
| IEEE T ELECTRON DEV | 235 |
| J MATER SCI-MATER EL | 205 |
| IEEE ACCESS | 197 |
| IEEE T COMP PACK MAN | 120 |
| IEEE T POWER ELECTR | 120 |
| J ELECTRON MATER | 103 |
| J ALLOY COMPD | 101 |
| IEEE T DEVICE MAT RE | 100 |
| ENERGIES | 87 |
近年文章引用統(tǒng)計：
| 文章名稱 | 數(shù)量 |
| Comphy - A compact-physics frame... | 25 |
| An improved unscented particle f... | 25 |
| Threshold voltage peculiarities ... | 21 |
| Identification of oxide defects ... | 16 |
| Controversial issues in negative... | 13 |
| An Android mutation malware dete... | 13 |
| A review of NBTI mechanisms and ... | 12 |
| New dynamic electro-thermo-optic... | 12 |
| Measurement considerations for e... | 11 |
| Border traps and bias-temperatur... | 10 |
| 同小類學(xué)科的其他優(yōu)質(zhì)期刊 | 影響因子 | 中科院分區(qū) |
| International Journal Of Ventilation | 1.1 | 4區(qū) |
| Journal Of Environmental Chemical Engineering | 7.4 | 2區(qū) |
| Journal Of Energy Storage | 8.9 | 2區(qū) |
| Complexity | 1.7 | 4區(qū) |
| Chemical Engineering Journal | 13.3 | 1區(qū) |
| International Journal Of Hydrogen Energy | 8.1 | 2區(qū) |
| Aerospace | 2.1 | 3區(qū) |
| Electronics | 2.6 | 3區(qū) |
| Shock Waves | 1.7 | 4區(qū) |
| Buildings | 3.1 | 3區(qū) |
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