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Ieee Transactions On Electron Devices SCIE

Ieee Transactions On Electron Devices

  • ISSN:0018-9383
  • ESSN:1557-9646
  • 國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)簡(jiǎn)稱:IEEE T ELECTRON DEV
  • 出版地區(qū):UNITED STATES
  • 出版周期:Monthly
  • 研究方向:工程技術(shù) - 工程:電子與電氣
  • 出版年份:1954
  • 語(yǔ)言:English
  • 是否OA:未開放
  • 學(xué)科領(lǐng)域

    工程技術(shù)
  • 中科院分區(qū)

    2區(qū)
  • JCR分區(qū)

    Q2
  • IF影響因子

    2.9
  • 是否預(yù)警

期刊簡(jiǎn)介

Journal Title:Ieee Transactions On Electron Devices

IEEE Transactions on Electron Devices publishes original and significant contributions relating to the theory, modeling, design, performance and reliability of electron and ion integrated circuit devices and interconnects, involving insulators, metals, organic materials, micro-plasmas, semiconductors, quantum-effect structures, vacuum devices, and emerging materials with applications in bioelectronics, biomedical electronics, computation, communications, displays, microelectromechanics, imaging, micro-actuators, nanoelectronics, optoelectronics, photovoltaics, power ICs and micro-sensors. Tutorial and review papers on these subjects are also published and occasional special issues appear to present a collection of papers which treat particular areas in more depth and breadth.

中文簡(jiǎn)介

《IEEE 電子器件學(xué)報(bào)》發(fā)表與電子和離子集成電路器件和互連的理論、建模、設(shè)計(jì)、性能和可靠性有關(guān)的原創(chuàng)和重要貢獻(xiàn),涉及絕緣體、金屬、有機(jī)材料、微等離子體、半導(dǎo)體、量子效應(yīng)結(jié)構(gòu)、真空器件和新興材料,應(yīng)用于生物電子學(xué)、生物醫(yī)學(xué)電子學(xué)、計(jì)算、通信、顯示器、微機(jī)電、成像、微致動(dòng)器、納米電子學(xué)、光電子學(xué)、光伏、電源 IC 和微傳感器。還發(fā)表了關(guān)于這些主題的教程和評(píng)論論文,偶爾還會(huì)出版??榻B一系列更深入、更廣泛地討論特定領(lǐng)域的論文。

期刊點(diǎn)評(píng)

Ieee Transactions On Electron Devices創(chuàng)刊于1954年,由Institute of Electrical and Electronics Engineers Inc.出版商出版,收稿方向涵蓋工程技術(shù) - 工程:電子與電氣全領(lǐng)域,此刊是該細(xì)分領(lǐng)域中屬于非常不錯(cuò)的SCI期刊,在行業(yè)細(xì)分領(lǐng)域中學(xué)術(shù)影響力較大,專業(yè)度認(rèn)可很高,所以對(duì)原創(chuàng)文章要求創(chuàng)新性較高,如果您的文章質(zhì)量很高,可以嘗試。平均審稿速度 約4.7個(gè)月 ,影響因子指數(shù)2.9,該期刊近期沒有被列入國(guó)際期刊預(yù)警名單,廣大學(xué)者值得一試。

中科院分區(qū)(數(shù)據(jù)版本:2023年12月升級(jí)版)

大類學(xué)科 分區(qū) 小類學(xué)科 分區(qū) Top期刊 綜述期刊
工程技術(shù) 2區(qū) PHYSICS, APPLIED 物理:應(yīng)用 ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:電子與電氣 2區(qū) 3區(qū)

名詞解釋:
中科院分區(qū)也叫中科院JCR分區(qū),基礎(chǔ)版分為13個(gè)大類學(xué)科,然后按照各類期刊影響因子分別將每個(gè)類別分為四個(gè)區(qū),影響因子5%為1區(qū),6%-20%為2區(qū),21%-50%為3區(qū),其余為4區(qū)。

中科院分區(qū)(數(shù)據(jù)版本:2022年12月升級(jí)版)

大類學(xué)科 分區(qū) 小類學(xué)科 分區(qū) Top期刊 綜述期刊
工程技術(shù) 2區(qū) PHYSICS, APPLIED 物理:應(yīng)用 ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:電子與電氣 2區(qū) 3區(qū)

中科院分區(qū)(數(shù)據(jù)版本:2021年12月舊的升級(jí)版)

大類學(xué)科 分區(qū) 小類學(xué)科 分區(qū) Top期刊 綜述期刊
工程技術(shù) 2區(qū) PHYSICS, APPLIED 物理:應(yīng)用 ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:電子與電氣 2區(qū) 3區(qū)

中科院分區(qū)(數(shù)據(jù)版本:2021年12月基礎(chǔ)版)

大類學(xué)科 分區(qū) 小類學(xué)科 分區(qū) Top期刊 綜述期刊
工程技術(shù) 3區(qū) ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:電子與電氣 PHYSICS, APPLIED 物理:應(yīng)用 3區(qū) 3區(qū)

中科院分區(qū)(數(shù)據(jù)版本:2021年12月升級(jí)版)

大類學(xué)科 分區(qū) 小類學(xué)科 分區(qū) Top期刊 綜述期刊
工程技術(shù) 2區(qū) PHYSICS, APPLIED 物理:應(yīng)用 ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:電子與電氣 2區(qū) 3區(qū)

中科院分區(qū)(數(shù)據(jù)版本:2020年12月舊的升級(jí)版)

大類學(xué)科 分區(qū) 小類學(xué)科 分區(qū) Top期刊 綜述期刊
工程技術(shù) 2區(qū) ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:電子與電氣 PHYSICS, APPLIED 物理:應(yīng)用 2區(qū) 2區(qū)

WOS分區(qū)(數(shù)據(jù)版本:2023-2024年最新版)

按JIF指標(biāo)學(xué)科分區(qū) 收錄子集 分區(qū) 排名 百分位
學(xué)科:ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC SCIE Q2 143 / 352

59.5%

學(xué)科:PHYSICS, APPLIED SCIE Q2 68 / 179

62.3%

按JCI指標(biāo)學(xué)科分區(qū) 收錄子集 分區(qū) 排名 百分位
學(xué)科:ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC SCIE Q2 145 / 354

59.18%

學(xué)科:PHYSICS, APPLIED SCIE Q2 61 / 179

66.2%

名詞解釋:
WOS即Web of Science,是全球獲取學(xué)術(shù)信息的重要數(shù)據(jù)庫(kù),Web of Science包括自然科學(xué)、社會(huì)科學(xué)、藝術(shù)與人文領(lǐng)域的信息,來(lái)自全世界近9,000種最負(fù)盛名的高影響力研究期刊及12,000多種學(xué)術(shù)會(huì)議多學(xué)科內(nèi)容。給期刊分區(qū)時(shí)會(huì)按照某一個(gè)學(xué)科領(lǐng)域劃分,根據(jù)這一學(xué)科所有按照影響因子數(shù)值降序排名,然后平均分成4等份,期刊影響因子值高的就會(huì)在高分區(qū)中,最后的劃分結(jié)果分別是Q1,Q2,Q3,Q4,Q1代表質(zhì)量最高。

CiteScore分區(qū)(數(shù)據(jù)版本:2024年最新版)

CiteScore SJR SNIP CiteScore排名
5.8 0.785 1.223
學(xué)科 分區(qū) 排名 百分位
大類:Engineering 小類:Electrical and Electronic Engineering Q2 221 / 797

72%

大類:Engineering 小類:Electronic, Optical and Magnetic Materials Q2 82 / 284

71%

名詞解釋:
CiteScore:衡量期刊所發(fā)表文獻(xiàn)的平均受引用次數(shù)。
SJR:SCImago 期刊等級(jí)衡量經(jīng)過(guò)加權(quán)后的期刊受引用次數(shù)。引用次數(shù)的加權(quán)值由施引期刊的學(xué)科領(lǐng)域和聲望 (SJR) 決定。
SNIP:每篇文章中來(lái)源出版物的標(biāo)準(zhǔn)化影響將實(shí)際受引用情況對(duì)照期刊所屬學(xué)科領(lǐng)域中預(yù)期的受引用情況進(jìn)行衡量。

其他數(shù)據(jù)

是否OA開放訪問(wèn): h-index: 年文章數(shù):
未開放 165 1084
Gold OA文章占比: 2021-2022最新影響因子(數(shù)據(jù)來(lái)源于搜索引擎): 開源占比(OA被引用占比):
6.38% 2.9 0.06...
研究類文章占比:文章 ÷(文章 + 綜述) 期刊收錄: 中科院《國(guó)際期刊預(yù)警名單(試行)》名單:
100.00% SCIE

歷年IF值(影響因子):

歷年引文指標(biāo)和發(fā)文量:

歷年中科院JCR大類分區(qū)數(shù)據(jù):

歷年自引數(shù)據(jù):

發(fā)文統(tǒng)計(jì)

2023-2024國(guó)家/地區(qū)發(fā)文量統(tǒng)計(jì):

國(guó)家/地區(qū) 數(shù)量
CHINA MAINLAND 741
USA 455
India 399
Taiwan 232
South Korea 181
GERMANY (FED REP GER) 149
Japan 123
Italy 111
France 110
England 100

2023-2024機(jī)構(gòu)發(fā)文量統(tǒng)計(jì):

機(jī)構(gòu) 數(shù)量
INDIAN INSTITUTE OF TECHNOLOGY S... 239
UNIVERSITY OF ELECTRONIC SCIENCE... 123
CHINESE ACADEMY OF SCIENCES 92
NATIONAL YANG MING CHIAO TUNG UN... 81
UNIVERSITY OF CALIFORNIA SYSTEM 76
IMEC 74
PEKING UNIVERSITY 66
XIDIAN UNIVERSITY 58
CENTRE NATIONAL DE LA RECHERCHE ... 57
NATIONAL CHENG KUNG UNIVERSITY 50

近年引用統(tǒng)計(jì):

期刊名稱 數(shù)量
IEEE T ELECTRON DEV 3214
IEEE ELECTR DEVICE L 1587
APPL PHYS LETT 1366
J APPL PHYS 866
SOLID STATE ELECTRON 384
PHYS REV B 305
ADV MATER 238
MICROELECTRON RELIAB 235
NANO LETT 209
ACS APPL MATER INTER 195

近年被引用統(tǒng)計(jì):

期刊名稱 數(shù)量
IEEE T ELECTRON DEV 3214
IEEE ELECTR DEVICE L 865
JPN J APPL PHYS 565
IEEE J ELECTRON DEVI 499
SOLID STATE ELECTRON 431
IEEE ACCESS 422
SEMICOND SCI TECH 412
J APPL PHYS 400
APPL PHYS LETT 388
J COMPUT ELECTRON 284

近年文章引用統(tǒng)計(jì):

文章名稱 數(shù)量
Fully Inkjet-Printed Photodetect... 42
Effects of Postannealing on the ... 37
Critical Role of Interlayer in H... 28
Demonstration of Constant 8 W/mm... 27
Ferroelectric FETs With 20-nm-Th... 22
2-D Layered Materials for Next-G... 20
High Endurance Ferroelectric Haf... 20
BTI Analysis Tool-Modeling of NB... 20
Improved Switching Stability and... 18
Design and Investigation of Char... 17

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免責(zé)聲明

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