摘要：半導(dǎo)體光刻技術(shù)帶動(dòng)著光源逐步向短波輻射方向發(fā)展,以KrF-248nm、ArF-193nm光源為代表的準(zhǔn)分子激光光刻光源逐步取代了以往基于汞燈的光刻光源,成為當(dāng)前半導(dǎo)體光刻技術(shù)發(fā)展的主流光源。目前應(yīng)用于光刻光源的光學(xué)元件主要以在深紫外波段具有優(yōu)異傳輸特性的氟化鈣(CaF2)材料為主。針對(duì)光源研發(fā)過程中涉及的光學(xué)元件與激光相互作用時(shí)會(huì)發(fā)生損傷的問題,從CaF2材料自身的物化特性、激光輻射特性以及激光與材料相互作用產(chǎn)生損傷的機(jī)理三個(gè)方面,綜合分析了CaF2材料抗紫外激光研究的發(fā)展情況,比較了不同應(yīng)用背景下CaF2材料的激光損傷特性,總結(jié)歸納了提高光學(xué)元件激光損傷閾值的措施和方法。