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向固體電子學(xué)研究與進(jìn)展雜志投稿有什么要求?

來源:優(yōu)發(fā)表網(wǎng)整理 2024-10-16 17:58:18 2210人看過

固體電子學(xué)研究與進(jìn)展雜志投稿須知:

<一>文章關(guān)鍵要素,需有英文摘要。

<二>“一”后加“、”號,“l(fā)”后加“.”,(一)、(l)不加任何標(biāo)點(diǎn),‘第一”、‘首先”后面均要加“,”號。

<三>論文分類號為了便于檢索和編制索引,本刊按《中國圖書資料分類法》標(biāo)注論文分類號,置于中文關(guān)鍵詞的下方。作者將文稿中留空,由本刊編輯部統(tǒng)一標(biāo)注。

<四>所投稿件在作者著作權(quán)有效期內(nèi)的復(fù)制權(quán)、匯編權(quán)、發(fā)行權(quán)、翻譯權(quán)、信息網(wǎng)絡(luò)傳播權(quán)等可授權(quán)使用的權(quán)利授予本刊編輯部使用。

<五>基金項(xiàng)目。如果是省級以上基金項(xiàng)目研究成果,請注明(包括課題名稱和編號)。

固體電子學(xué)研究與進(jìn)展雜志是一本電子類北大期刊, 創(chuàng)刊于1981年, 國內(nèi)刊號32-1110/TN, 國際刊號1000-3819, 雜志獲得過的榮譽(yù)有: 中國優(yōu)秀期刊遴選數(shù)據(jù)庫、中國期刊全文數(shù)據(jù)庫(CJFD)、中科雙效期刊、中國科技期刊優(yōu)秀期刊、北大圖書館收錄期刊、中國期刊方陣雙效期刊、等。

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GaN HFET中的能帶峰耗盡

作者:薛舫時(shí); 孔月嬋; 陳堂勝 2018年第06期

55~115GHz寬帶GaN功率放大器MMIC

作者:戈勤; 徐波; 王維波; 陶洪琪; 吳少兵; 薛偉韜 2018年第06期

C波段200W高增益GaN功率模塊

作者:呂立明; 奚紅杰; 賀瑩 2018年第06期

基于SiGe BiCMOS工藝的802.11ac系統(tǒng)射頻前端芯片設(shè)計(jì)

作者:陳亮; 朱彥青; 陳悅鵬 2018年第06期

基于可調(diào)有源并聯(lián)反饋技術(shù)的超低功耗寬帶低噪聲放大器

作者:高麗娜; 龐建麗 2018年第06期

固體電子學(xué)研究與進(jìn)展雜志,雙月刊,本刊重視學(xué)術(shù)導(dǎo)向,堅(jiān)持科學(xué)性、學(xué)術(shù)性、先進(jìn)性、創(chuàng)新性,刊載內(nèi)容涉及的欄目:器件物理、射頻器件與電路、微電子學(xué)等。于1981年經(jīng)新聞總署批準(zhǔn)的正規(guī)刊物。

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