摘要：非磁性材料在低維度表現(xiàn)出鐵磁性引起人們廣泛關(guān)注．為實(shí)現(xiàn)Ge納米結(jié)構(gòu)在自旋電子器件中的應(yīng)用，我們利用等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積技術(shù)制備了Ge—SiNx納米薄膜，對(duì)樣品的結(jié)構(gòu)和磁學(xué)性質(zhì)進(jìn)行了研究．厚度為16nm的樣品經(jīng)900℃退火后有Ge納米晶的生成．對(duì)沉積態(tài)樣品進(jìn)行鐵磁性測(cè)試，得到樣品的飽和磁化強(qiáng)度為10emu／cm^3，樣品經(jīng)900℃退火后飽和磁化強(qiáng)度增加到35emu／cm^3，樣品的居里溫度高于400K．氮化硅作為包埋Ge納米顆粒的基質(zhì)材料，有效調(diào)節(jié)了Ge顆粒中載流子的限制勢(shì)壘，增強(qiáng)了Ge納米晶中自旋電子之間的磁耦合．