摘要：在長余輝發(fā)光物理機(jī)制的研究中,確定發(fā)光材料中的缺陷能級是非常重要的。本文通過高溫固相法制備了兩組SrAl2O4∶Dy3+和SrAl2O4∶Eu2+樣品,并采用漫反射光譜測定了SrAl2O4中一系列與Dy3+和Eu2+相關(guān)的吸收峰。對于SrAl2O4∶Dy3+和SrAl2O4∶Eu2+,在其吸收譜的較低能量(長波長)和較高能量(短波長)區(qū)域內(nèi)分別存在一組吸收峰。通過這些吸收峰可確定Dy3+和Eu2+摻雜在SrAl2O4帶隙中引入的陷阱深度。結(jié)果表明Dy3+離子能夠在SrAl2O4中形成淺能級和深能級陷阱,而Eu2+離子僅會形成淺能級陷阱。與文獻(xiàn)報道的陷阱相比較,這些陷阱大部分和其它方法測得的數(shù)據(jù)相一致,小部分則是首次報道,可能是其它方法的測試范圍所限而無法測得。我們認(rèn)為距離導(dǎo)帶0.6至1.2eV范圍內(nèi)的Dy3+相關(guān)陷阱在SrAl2O4∶(Eu2+,Dy3+)長余輝發(fā)光過程中起著關(guān)鍵的作用。